氮化鎵作為高轉換效率寬禁帶半導體材料的代表，基于氮化鎵功率器件開發的快充方案，使用高度集成的氮化鎵功率芯片，可以獲得精簡的外圍電路，僅需搭配幾顆降壓MOS和VBUS開關管即可組成一個方案，有效減少PCB板占板面積和降低主板溫度，有效提升功率密度，使得液晶TV獲得更輕薄的設計和更低的研發成本