大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體為綠色能源做貢獻(xiàn)
嚴(yán)格的質(zhì)量控制和檢測流程
用芯片點亮綠色能源
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一款30W的1A1C口PD快充，該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協(xié)議···
迎接第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)變革在電源設(shè)計領(lǐng)域，小型化、高效化、高···
SiC MOSFET介紹及應(yīng)用在半導(dǎo)體技術(shù)迭代的浪潮中，以碳化硅（SiC）···
碳化硅在半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)勢碳化硅之所以能在半導(dǎo)體領(lǐng)域異軍突起，···
氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具···
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨特的性質(zhì)和廣泛的···
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）在驅(qū)動電機(jī)中的應(yīng)用主要體現(xiàn)在電能轉(zhuǎn)換、控制電流和電壓、提供高效能量轉(zhuǎn)換、實現(xiàn)保護(hù)功能以及支持多種控制策略。
