大力發(fā)展第三代半導體為綠色能源做貢獻
嚴格的質(zhì)量控制和檢測流程
用芯片點亮綠色能源
歡迎加入
一款30W的1A1C口PD快充，該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協(xié)議···
迎接第三代半導體的產(chǎn)業(yè)變革在電源設計領域，小型化、高效化、高···
SiC MOSFET介紹及應用在半導體技術迭代的浪潮中，以碳化硅（SiC）···
碳化硅在半導體領域的優(yōu)勢碳化硅之所以能在半導體領域異軍突起，···
氮化鎵是一種無機物質(zhì)，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具···
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，由于其獨特的性質(zhì)和廣泛的···
IGBT
IGBT器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
在接收到您的樣品申請后，我們將在24小時內(nèi)聯(lián)系您。如信息真實可信并符合樣品政策，將在審核通過后的48小時內(nèi)發(fā)貨，并同步將快遞信息通過所留電話或郵箱反饋給您。如果遇到無貨或其他特殊情況，我們也會及時通知到您。 您收到樣品后，請盡早在應用項目中進行測試，并將使用情況通過郵箱ast@asiasemitech.com反饋給我們。
在接收到您的樣品申請后，我們將在24小時內(nèi)聯(lián)系您。您收到樣品后，請盡早在應用項目中進行測試，并將使用情況通過郵箱ast@asiasemitech.com反饋給我們。
