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HDS120J020A3

碳化硅

HDS120J020A3

HDS120J020A3基本參數

型號 最大反向峰值電壓 IF(135℃)允許最大正向平均電流 IF(155℃)允許最大正向平均電流 電荷量 封裝 PDF下載
HDS120J020A3 1200V 30A Industry 108nC TO-220-2L HDS120J020A3PDF文件

HDS120J020A3應用范圍

直流充電樁光伏發電儲能新能源汽車UPS電源數據中心

其他介紹

相對于第一代(硅基)半導體,第三代半導體禁帶寬度大,電導率高、熱導率高。第三代半導體的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍,具有更強的耐高壓、高功率能力。

碳化硅器件在具體應用場景中表現出的特性是:1、耐高溫:硅基材料120°C場景需要散熱,使用SiC在175°C結溫不需要散熱,可承受600°C以上高溫環境。

碳化硅功率器件在高功率高壓領域有廣泛的潛在應用,目前在600-1700V的光伏逆變、工業電源、新能源汽車、數據中心等領域已得到廣泛應用。


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您收到樣品后,請盡早在應用項目中進行測試,并將使用情況通過郵箱ast@asiasemitech.com反饋給我們。

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